其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測溫的精確與待測材料的發(fā)射率密切相關，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。50WLED集成光源供電壓現在LED的COB封裝，都是基于里基板的封裝基礎，就是在里基板上把N個芯片繼承集成在一起進行封裝，基板的襯底下面是銅箔，銅箔只能很好的通電50WLED集成光源供電壓

同時，國產cob以更高的性價比和服務開拓市場，外資企業(yè)的市場份額正在被不斷壓縮。目前，市場上流通高光效cob，約70%-80%的份額以性價比較高的國產cob產品為主。隨著芯片價格的不斷下降，中功率cob價格也隨之下調，導致smd對cob價格優(yōu)勢不復存在，同時cob的標準化將進一步加劇市場競爭及加速替換。，不能做很好的光學處理.MCOB和傳統的不同，MCOB技術是芯片直接放在光學的杯子里面的，是根據光學做出來的，不僅是一個杯，要做好多個杯，LED芯片光是集中在芯片內部的，要讓光能更多的跑出來，需要非常多的角，就是說出光的口越多越好，效率就能提升.50WLED集成光源供電壓附圖說明圖1是本發(fā)明實施例提供的COB光源制作方法的立體示意圖；圖2是本發(fā)明實施例提供的COB光源制作方法的內部結構示意圖50WLED集成光源供電壓

COB主要是應用于商業(yè)照明領域，如軌道射燈、天花燈、MR16、GU10等燈具中，并成功解決了兩方面問題：一、COB光源由于熱量集中帶來的散熱問題，通過結構的設計保證了散熱的通暢，確保了COB光源在工作期間結溫在安全值以下；二、采用鱗甲結構的反光杯或透鏡結構，解決了燈具光斑的色均勻性。這兩個方面的技術突破，使得國星光電COB燈具壽命及光品質有保證。。具體實施方式為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

50WLED集成光源供電壓MCOB（MuiltiChipsOnBoard），即多杯集成式COB封裝技術，它是COB封裝工藝的拓展,MCOB封裝是把芯片直接放在光學的杯子里面的50WLED集成光源供電壓圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產生的藍光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍光激發(fā)熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉化成熱，經過測量可知藍色樣品的光電轉換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍光激發(fā)熒光粉過程中有更多藍光轉換成熱量，相關參數參考表2。，在每個單一芯片上涂覆熒光粉并完成點膠等工序.LED芯片光是集中在杯內部的，要讓光線更多的跑出來，出光的口越多光效就越高，MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結溫。