其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發射率，紅外測溫的精確與待測材料的發射率密切相關，由于
COB光源表面的大部分材料發射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調整材料的發射率，使其溫度顯示為正確溫度。
COB光源尺寸在步驟3)中，第二圍壩設置在第一層圍壩14的正上方。這樣，在圍壩設備不變的情況下，可以使得第一層圍壩14和第二層圍壩15的總高度最高
COB光源尺寸
，使得圍壩內填充的熒光膠16的厚度增加，增大熒光膠16的緩沖作用，對導電線13形成更好的保護作用；另外，增加圍壩總高度可以避免填充在圍壩內部的熒光膠16在離心沉淀的時候溢出，方便后續工序的實施。
COB光源尺寸附圖說明圖1是本發明實施例提供的
COB光源制作方法的立體示意圖；圖2是本發明實施例提供的
COB光源制作方法的內部結構示意圖
COB光源尺寸
2、可以在高速開關狀態工作我們平時走在馬路上，會發現每一個LED組成的屏幕或者畫面都是變化莫測的。這說明LED燈是可以進行高速開關工作的。但是，對于我們平時使用的白熾燈，則達不到這樣的工作狀態。在平時生活的時候，如果開關的次數過多，將直接導致白熾燈燈絲斷裂。這個也是LED燈受歡迎的重要原因。。具體實施方式為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
COB光源尺寸技術實現要素：本發明提供的
COB光源制作方法，旨在解決現有技術中小結
COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實際工作中芯片的結溫遠低于芯片允許的最高結溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發光面實現高流明密度輸出。光源工作時，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉換成熱，高光通量密度輸出會導致發光面熱量較為集中，導致發光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發光面的溫度，熱電偶的探頭也會吸光轉換成熱，使溫度測量值偏高。，
COB光源長時間使用時會產生較高的溫度
COB光源尺寸，導致熒光膠開裂或芯片衰減嚴重，降低了
COB光源的使用壽命的問題。本發明是這樣實現的，包括以下步驟：
