2、發(fā)光面溫度實測為進(jìn)一步從實驗上研究
COB光源的熱分布,選用我司14年主推的一款定型產(chǎn)品作為實驗研究對象,該款光源選用是的高反射率鏡面鋁為基板,這種封裝結(jié)構(gòu)一方面可大幅提高出光效率,另一方面封裝形式采用熱電分離的形式,沒有普通鋁基板的絕緣層作為阻攔,可進(jìn)一步降低熱阻和結(jié)溫,實現(xiàn)
COB光源高光通量密度輸出。rgbw集成光源2)采用ASM的焊線設(shè)備將晶片11與基板12過導(dǎo)電線13進(jìn)行電性連接,使晶片11與基板12上的電路實現(xiàn)導(dǎo)通,焊接完成后,對產(chǎn)品進(jìn)行檢測,不合格的產(chǎn)品重新返修,合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序;3)在基板12上設(shè)置第一層圍壩14,晶片11及導(dǎo)電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi),將設(shè)置好第一層圍壩14的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤,待第一層圍壩14固化后取出rgbw集成光源

圖2:錯誤的溫度測量方式因此,為避免光對熱電偶的影響,建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測量,紅外熱成像儀除具有響應(yīng)時間快、非接觸、無需斷電、快速掃描等優(yōu)點,還可以實時顯示待測物體的溫度分布。紅外測溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理,可用以下公式表示。。當(dāng)然,亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化;在第一層圍壩14上設(shè)置第二層圍壩15,將設(shè)置好第二層圍壩15的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤,待第二層圍壩15固化后取出,亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化,此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實際需要,可在第二層圍壩15上設(shè)置繼續(xù)設(shè)置圍壩,這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多,使得整體圍壩的高度更高,設(shè)置圍壩的目的是為了后面的封膠做準(zhǔn)備,而設(shè)置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度,亦可用其他方法增加圍壩的高度,如優(yōu)化圍壩設(shè)備等;圖5:
COB光源的內(nèi)部溫度分布圖5是該文根據(jù)試驗數(shù)據(jù)并結(jié)合仿真得出的,從圖中可以看到,熒光膠的溫度可達(dá)186℃,但芯片溫度只有49.5℃。芯片的溫度較低是因為芯片直接貼裝到鋁基板上方,芯片的熱量可通過基板快速傳遞到散熱器上,因此
COB光源的芯片溫度遠(yuǎn)低于芯片允許的最高結(jié)溫。

rgbw集成光源步驟4)中,熒光膠16平鋪后,熒光膠16的高度超過第一層圍壩14的頂部的高度,且低于第二層圍壩15的頂部的高度。也就是說COB封裝就是將芯片直接貼裝到光源的基板上,使用時
COB光源與熱沉直接相連,無需進(jìn)行SMT表面組裝。SMD封裝則先將芯片貼裝在支架上成為一個器件,使用時需將器件貼裝到基板上再與熱沉連接。兩者的熱阻結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,相對于SMD器件,COB熱阻比SMD在使用時少了支架層熱阻與焊料層熱阻,芯片的熱量更容易傳遞到熱沉。,通過本
COB光源制作方法制作的
COB光源,其熒光膠16的厚度比常規(guī)
COB光源的大,這樣使得通過本
COB光源制作方法制作的
COB光源緩沖作用更好,能夠更好的保護(hù)內(nèi)部的導(dǎo)電線13。同時,熒光膠16的高度低于第二層圍壩15的高度,避免了熒光膠16溢出圍壩的情況發(fā)生。

rgbw集成光源技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明提供的
COB光源制作方法,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中目前COB類的集成式封裝LED光源的技術(shù)及工藝已非常成熟,在出光效率、光衰控制、壽命等方面已與SMD光源相媲美。對于燈具制造企業(yè),
COB光源的配套較SMD光源更為靈活,光源芯片的更換,相關(guān)部件無需大范圍配套調(diào)整。但是COB類光源由于其高功率密度特性,對散熱有較高的要求,需要解決
COB光源熱集中的問題,如在散熱上通過熱量橫向傳導(dǎo)、散熱器均溫等方式,防止熱堆積影響光源的發(fā)光效率與光衰壽命等。石墨烯散熱LED的出現(xiàn)無疑完美的解決了以上問題。,
COB光源長時間使用時會產(chǎn)生較高的溫度rgbw集成光源,導(dǎo)致熒光膠開裂或芯片衰減嚴(yán)重,降低了
COB光源的使用壽命的問題。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,包括以下步驟: