現在國產cob光源在r9大于零，顯色指數大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進入到2014年以后，國產和進口cob技術差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產cob整體光效將在現有基礎上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應當前商照市場需求。COB光源溫度2)采用ASM的焊線設備將晶片11與基板12過導電線13進行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實現導通，焊接完成后，對產品進行檢測，不合格的產品重新返修，合格的產品轉入下一道工序；3)在基板12上設置第一層圍壩14，晶片11及導電線13處于第一層圍壩14所包圍的區域內，將設置好第一層圍壩14的基板12放進烤箱進行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出COB光源溫度

小結COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實際工作中芯片的結溫遠低于芯片允許的最高結溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發光面實現高流明密度輸出。光源工作時，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉換成熱，高光通量密度輸出會導致發光面熱量較為集中，導致發光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發光面的溫度，熱電偶的探頭也會吸光轉換成熱，使溫度測量值偏高。。當然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設置第二層圍壩15，將設置好第二層圍壩15的基板12放進烤箱進行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據實際需要，可在第二層圍壩15上設置繼續設置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數更多，使得整體圍壩的高度更高，設置圍壩的目的是為了后面的封膠做準備，而設置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優化圍壩設備等；裸芯片技術主要有兩種形式：一種COB技術，另一種是倒裝片技術(FlipChip)。板上芯片封裝(COB)，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。

COB光源溫度4)在整體圍壩內填充熒光膠16，待熒光膠16自然平鋪后，將基板12放進離心設備中進行旋轉離心，使熒光膠16中的熒光粉沉淀到熒光膠16的下部圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍色樣品的發光面最高溫度為93.6℃，2700K的發光面最高溫度為124.5℃、6500K的發光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產生的藍光激發熒光粉混成白光，在藍光激發熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉化成熱，經過測量可知藍色樣品的光電轉換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍光激發熒光粉過程中有更多藍光轉換成熱量，相關參數參考表2。。由于在步驟3)中設置了兩層圍壩，使得圍壩總體高度增加，避免了填充在圍壩內的熒光膠16在基板12進行離心時溢出的情況發生；

COB光源溫度因此為有效研究COB光源表面的熱分布，建議選用紅外熱成像儀進行非接觸測量COB光源溫度圖5：COB光源的內部溫度分布圖5是該文根據試驗數據并結合仿真得出的，從圖中可以看到，熒光膠的溫度可達186℃，但芯片溫度只有49.5℃。芯片的溫度較低是因為芯片直接貼裝到鋁基板上方，芯片的熱量可通過基板快速傳遞到散熱器上，因此COB光源的芯片溫度遠低于芯片允許的最高結溫。。由于COB光源發光面的溫度高于普通SMD器件，因此在封裝工藝和材料選擇上較SMD器件嚴苛，尤其對熒光粉和硅膠的耐溫性提出了更高的要求。